اختراع ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق

ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره‌ای در زیر کانال» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد.

به گزارش خبرگزاری دانشجویان ایران(ایسنا) منطقه‌ سمنان، داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، زینب رمضانی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88270 به ثبت رسید.

دکتر اروجی در توضیح این اختراع اظهار کرد: در این اختراع یک ترانزیستور با استفاده از ایجاد یک چاه از جنس سیلیسیم ژرمانیوم نوع P (P-SiGe) در اکسید مدفون ارائه شده است.

این مخترع افزود: هم‌چنین با استفاده از ویژگی ترکیبی ماده‌ی سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیوم معایب این گونه ترانزیستورها از جمله اثر خودگرما، ولتاژ شکست پایین و اثر بدنه ی شناور بطور همزمان بهبود داده شده است.

وی تصریح کرد: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی فلز- نیمه هادی با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده است و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی آن می تواند به عنوان جایگزین مناسب برای ساخت این گونه ترانزیستور ها در تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق پیشنهاد شود.

دکتر اروجی خاطر‌نشان کرد‌: از این اختراع می‌توان در کاربردهای توان بالا و انواع مدارات دیجیتال و آنالوگ مختلف استفاده کرد.

منبع :

پاسخ تلفنی به سوالات شما
پاسخ تلفنی به سوالات مشاوره ای و آموزشی شما

باسخ به سوالات شما در زمینه مشاوره کارنامه و هدف گذاری برای آزمون ها ، شروع مطالعه برای کنکور 97 ، روش درس خواندن ، مدیریت منابع و تکمیل ظرفیت کنکور 96 و ...

از طریق تلفن ثابت در سراسر کشور بدون پیش شماره
با شماره 9099071219 تماس بگیرید
ساعت پاسخگویی از 8 صبح تا 12 شب
جمع بندی عربی3(نگاه به گذشته) از عربی 3 سوم دبیرستان
  برای شرکت در کلاس کلیک کنید( دروس عمومی چهارم دبیرستان)
دبیر : فرزاد قنبری