رشد لایه‌های نازک اکسید روی با استفاده از فناوری پلاسما

محققان واحد علوم و تحقیقات دانشگاه آزاد موفق به رشد لایه‌های نازک جهت استفاده در سنسورهای گازی با استفاده از تکنولوژی پلاسما شدند.




محققان واحد علوم و تحقیقات دانشگاه آزاد موفق به رشد لایه های نازک جهت استفاده در سنسورهای گازی با استفاده از تکنولوژی پلاسما شدند.

به گزارش گروه علمی ایرنا از واحد علوم و تحقیقات دانشگاه آزاد اسلامی، محمدتقی حسین نژاد دانشجوی دکتری رشته فیزیک این واحد دانشگاهی در رابطه با این طرح تحقیقاتی گفت: اکسید روی (ZnO) یکی از معروفترین و پرکاربردترین مواد اکسیدی رسانای شفاف محسوب میشود که امروزه کاربردهای فراوانی در صنعت پیدا کرده است.

استفاده در سلولهای خورشیدی، LED ها، فوتودیودها و حسگرهای گازی از جمله مهمترین کاربردهای این ماده نیمه رسانا محسوب می شود.

وی تصریح کرد: هدف اصلی در این کار تحقیقاتی، رشد لایه های نازک اکسید روی با استفاده از تکنولوژی پلاسما، بررسی خواص ساختاری و مورفولوژی سطح نمونه ها و در نهایت بررسی میزان حساسیت نمونه های رشد یافته به گاز اتانول به منظور تحلیل خواص حسگری گاز و استفاده در کاربردهای سنسوری بوده است.

به گفته حسین نژاد ، یکی از اساسی ترین دلایل ساخت حسگرهای گازی در محیط پلاسمایی ، تحقیقات محدود محققان در حوزۀ رشد لایه های نازک جهت استفاده در سنسورهای گازی با استفاده از تکنولوژی پلاسما بوده است.

وی به کابردهای این طرح تحقیقاتی اشاره کرد و افزود: حسگرهای گازی بطور کلی در صنایع نفت و گاز کاربرد فراوانی دارند. همچنین از دیگر کاربردهای آنها میتوان به استفاده در صنایع پتروشیمی، صنایع نظامی و ... اشاره نمود.

این محقق واحد علوم و تحقیقات ادامه داد: نتایج بدست آمده از این طرح قابلیت کاربرد در صنایعی که بطور مستقیم با گاز اتانول فعالیت می کنند را دارد.

حسین نژاد گفت: یکی از اساسی ترین ویژگی های نوآورانه این طرح، رشد لایه های نازک اکسیدروی جهت استفاده در حسگرهای گازی با استفاده از تکنولوژی پلاسما بوده است.

براساس این گزارش، طرح تحقیقاتی رشد لایه های نازک اکسید روی با استفاده از فناوری پلاسما جهت کاربرد در سنسورهای گازی به سرپرستی دکتر محمود قرآن نویس رئیس مرکز تحقیقات فیزیک پلاسمای واحد علوم و تحقیقات و همکاری محمدتقی حسین نژاد دانشجوی دکتری رشته فیزیک، مرضیه شیرازی دانشجوی دکتری رشته مهندسی نانو فناوری، دکتر محمدرضا حنطه زاده و دکتر الهام دارابی صورت گرفته است.

منبع :