نوروز 96

تولید لایه‌های نازک نیمه‌هادی کاربردی در سنسورها و آشکارسازها

رئیس پژوهشکده در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخ‌های مثبت در ارتباط با ساخت لایه‌های نیمه هادی‌های گروه II-VI و IV-VI از طریق شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد.



به گزارش سرویس فناوری ایسنا، دکتر امیرعلی یوزباشی با بیان این مطلب اظهار کرد: ساخت مواد نیمه ­هادی با خواص گوناگون اپتیکی، الکتریکی و اپتوالکتریکی از طریق روش‌های ساده و ارزان شیمیایی بخصوص از زمان ظهور نانوفناوری و شناخت خواص و پدیده‌های جالب توجه آنها، هدف بسیاری از محققان در سطح دنیا قرار گرفته است و چاپ سالانه تعداد بی‌شماری مقاله در این زمینه، گویای اهمیت آن است.

وی افزود: فعالیت‌های تحقیقاتی ما در این زمینه از حدود دو سال پیش در مورد مشخصه­‌یابی لایه­‌های نازک PbS بعنوان آشکارساز IR شروع شد و همچنان، بویژه در زمینه ساخت و بررسی آنها ادامه دارد.

رئیس پژوهشکده نیمه هادی‌ها خاطرنشان کرد: نتایج اخیر این پژوهش حاکی از آن است که کنترل بهینه فرایند لایه ­نشانی شیمیایی PbS یا هر ترکیب نیمه هادی دیگری در گروه II-VI ، امکان ساخت لایه­‌های نازک قابل مهندسی دارای ساختار و خواص کنترل شده را فراهم می‌کند.

وی ادامه داد: در واقع چالش اصلی امروز محققاق در این زمینه نیز مهندسی ساخت این لایه­­‌ها از طریق روش‌های شیمیایی ساده و ارزان است.

یوزباشی خاطرنشان کرد: موضوع جالب دیگر در این زمینه این است که چنانچه بتوان لایه­‌های نانوساختار گوناگون این مواد را تحت شرایط کنترل شده و تکرارپذیر تهیه کرد، کاربردهای مدرن چنین موادی در سلول‌های خورشیدی نسل جدید و حتی قطعات الکترونیکی مدرن و ارزان نیز عرضه می‌شود.

منبع :